Micron Technology Inc M36W0R6050B1ZAQF
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M36W0R6050B1ZAQF
1616-M36W0R6050B1ZAQF
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Memory Circuit, Flash PSRAM, 4MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-88
1最小包装量--
M36W0R6050B1ZAQF详情
Micron Technology Inc M36W0R6050B1ZAQF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
88
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Part Package Code
BGA
Package Description
TFBGA, BGA88,8X12,32
Access Time-Max
70 ns
Number of Words
4194304 words
Number of Words Code
4000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-30 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TFBGA
Package Equivalence Code
BGA88,8X12,32
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡银铜
附加功能
PSRAM IS ORGANIZED AS 2M X 16; SYNCHRONOUS BURST MODE ALSO POSSIBLE
HTS代码
8542.32.00.71
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
88
JESD-30代码
R-PBGA-B88
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
4MX16
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
记忆密度
67108864 bit
内存IC类型
存储器电路
混合内存类型
FLASH+PSRAM
长度
10 mm
宽度
8 mm
M36W0R6050B1ZAQF拓展信息
Micron Technology Inc
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