Microsemi APT6017LLLG

底架

通孔

包装/外壳

TO-264-3

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500W

Turn Off Delay Time

26 ns

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

终止次数

3

端子表面处理

锡银铜

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

600V

端子位置

SINGLE

额定电流

35A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

500W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

7ns

漏源电压 (Vdss)

600V

极性/通道类型

N-CHANNEL

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

35A

JEDEC-95代码

TO-264AA

栅极至源极电压(Vgs)

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大rds

170 mΩ

电容-输入

4.5nF

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅