Microsemi APT8020LFLLG

底架

通孔

包装/外壳

TO-264-3

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

694W

Turn Off Delay Time

39 ns

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

终止次数

3

端子表面处理

锡银铜

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

800V

端子位置

SINGLE

额定电流

38A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

694W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

12 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

14ns

漏源电压 (Vdss)

800V

极性/通道类型

N-CHANNEL

下降时间（典型值）

9 ns

连续放电电流(ID)

38A

JEDEC-95代码

TO-264AA

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.22Ohm

雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大rds

220 mΩ

电容-输入

5.2nF

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅