EDI88512CA-55CB
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Microsemi EDI88512CA-55CB

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型号

EDI88512CA-55CB

品牌

Microsemi

utmel 编号

1619-EDI88512CA-55CB

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

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EDI88512CA-55CB Microsemi Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

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EDI88512CA-55CB详情

Microsemi EDI88512CA-55CB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    32

  • Package Description

    DIP,

  • Package Style

    IN-LINE

  • Number of Words Code

    512000

  • Package Body Material

    CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Access Time-Max

    55 ns

  • Operating Temperature-Max

    125 °C

  • Manufacturer Part Number

    EDI88512CA55CB

  • Number of Words

    524288 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    5 V

  • Package Code

    DIP

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Mercury Systems Inc

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    MERCURY SYSTEMS INC

  • Risk Rank

    5.58

  • ECCN 代码

    3A001.A.2.C

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    2.54 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-CDIP-T32

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    5.5 V

  • 温度等级

    MILITARY

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    4.5 V

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 组织结构

    512KX8

  • 座位高度-最大

    3.937 mm

  • 内存宽度

    8

  • 记忆密度

    4194304 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • 内存IC类型

    标准SRAM

  • 宽度

    15.24 mm

  • 长度

    40.64 mm

0个相似型号

EDI88512CA-55CB拓展信息

MAX24710EXG PROG
93AA46CI/MS
93AA46CI/MS

Microsemi

WS512K32N-17H1QA
W3H32M72E-400SBM
W3H32M72E-400SBM

Microsemi Corporation

W3H32M64E-400SBI
5962-9318706H5A
5962-9318706H5A

Microsemi

EDI8L32512C15AC
EDI8L32512C15AC

Microsemi

EDI8L32512C17AI
EDI8L32512C17AI

Microsemi

W332M64V-133BI
W332M64V-133BI

Microsemi

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