W3E64M72S-266SBM
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Microsemi W3E64M72S-266SBM

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型号

W3E64M72S-266SBM

品牌

Microsemi

utmel 编号

1619-W3E64M72S-266SBM

商品类别

存储器连接器 - 配件

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DRAM Memory

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1最小包装量--

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W3E64M72S-266SBM
W3E64M72S-266SBM Microsemi DRAM Memory

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W3E64M72S-266SBM详情

Microsemi W3E64M72S-266SBM重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    219

  • Manufacturer Part Number

    W3E64M72S-266SBM

  • Part Life Cycle Code

    接触制造商

  • Ihs Manufacturer

    MERCURY SYSTEMS INC

  • Package Description

    BGA,

  • Risk Rank

    5.26

  • Access Time-Max

    0.75 ns

  • Number of Words

    67108864 words

  • Number of Words Code

    64000000

  • Operating Temperature-Max

    125 °C

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Code

    BGA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    网格排列

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    2.5 V

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • HTS代码

    8542.32.00.36

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    225

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1.27 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B219

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    2.7 V

  • 温度等级

    MILITARY

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    2.3 V

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 组织结构

    64MX72

  • 内存宽度

    72

  • 记忆密度

    4831838208 bit

  • 内存IC类型

    DDR DRAM

  • 访问模式

    四库页面突发

  • 自我刷新

    YES

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W3E64M72S-266SBM拓展信息

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