Microsemi Corporation 0204-125
- 收藏
- 对比
0204-125
1619-0204-125
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
55JT
大陆
立即发货

TRANS RF BIPO 125W 500MHZ 55JT2
1最小包装量--
0204-125详情
Microsemi Corporation 0204-125重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 2 weeks ago)
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
55JT
引脚数
55
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Number of Elements
2
操作温度
200°C TJ
包装
Bulk
已出版
1996
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
270W
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
8
JESD-30代码
R-CDFM-F8
资历状况
不合格
配置
COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
功率 - 最大
270W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
32V
最大集电极电流
16A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 1A 5V
增益
7dB ~ 8.5dB
频率转换
225MHz~400MHz
最高频段
超高频B型
RoHS状态
符合RoHS标准
0204-125拓展信息














哦! 它是空的。