Microsemi Corporation 1000MP
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- 对比
1000MP
1619-1000MP
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
55FW
大陆
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TRANS RF BIPO 5.3W 300MA 55FW
1最小包装量--
1000MP详情
Microsemi Corporation 1000MP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
Chassis Mount, Surface Mount
安装类型
底座安装
包装/外壳
55FW
引脚数
55
供应商器件包装
55FW
Current-Collector (Ic) (Max)
300mA
包装
Bulk
已出版
2013
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
200°C
最小工作温度
-40°C
最大功率耗散
5.3W
功率 - 最大
5.3W
晶体管类型
NPN
最大集电极电流
300mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
15 @ 100mA 5V
增益
10.8dB
频率转换
1.15GHz
集电极基极电压(VCBO)
40V
RoHS状态
符合RoHS标准
1000MP拓展信息















哦! 它是空的。