Microsemi Corporation 1075MP

底架

Chassis Mount, Surface Mount

安装类型

底座安装

包装/外壳

55FW-1

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

65V

Number of Elements

1

操作温度

200°C TJ

包装

Bulk

已出版

2017

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最大功率耗散

250W

端子位置

RADIAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

O-XRDB-F4

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

250W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

65V

最大集电极电流

6.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 100mA 5V

增益

7.6dB ~ 8.5dB

频率转换

1.025GHz~1.15GHz

最高频段

L B

集电极-基极电容-最大值

50pF

RoHS状态

符合RoHS标准