Microsemi Corporation 2001
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2001
1619-2001
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
55BT
大陆
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Trans RF BJT NPN 50V 0.25A 3-Pin Case 55BT-1
1最小包装量--
2001详情
Microsemi Corporation 2001重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
55BT
引脚数
55
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Current-Collector (Ic) (Max)
250mA
Number of Elements
1
包装
Bulk
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
200°C
最小工作温度
-65°C
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
5W
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
频率
2GHz
引脚数量
2
JESD-30代码
R-CDFM-F2
配置
SINGLE
功率耗散
5W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
250mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 100mA 5V
增益
9.5dB
集电极基极电压(VCBO)
45V
发射极基极电压 (VEBO)
3.5V
辐射硬化
无
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
2001拓展信息















哦! 它是空的。