Microsemi Corporation 2003

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

55BT-1

引脚数

3

供应商器件包装

55BT-1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Current-Collector (Ic) (Max)

500mA

Number of Elements

1

操作温度

200°C TJ

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

200°C

最小工作温度

-65°C

最大功率耗散

12W

频率

2GHz

极性

NPN

功率耗散

12W

功率 - 最大

12W

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10 @ 100mA 5V

增益

8.5dB

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

最高频率

2GHz

频率转换

2GHz

集电极基极电压(VCBO)

45V

发射极基极电压 (VEBO)

3.5V

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant