Microsemi Corporation 2N6764T1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AE

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

38A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

4W Ta 150W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

1997

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

PIN/PEG

引脚数量

3

JESD-30代码

S-XSFM-P3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

65m Ω @ 38A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

125nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

38A

JEDEC-95代码

TO-254AA

漏极-源极导通最大电阻

0.065Ohm

DS 击穿电压-最小值

100V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant