Microsemi Corporation 2N6790U
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2N6790U
1619-2N6790U
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
18-CLCC
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MOSFET N-CH 200V 18LCC
1最小包装量--
2N6790U详情
Microsemi Corporation 2N6790U重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
18-CLCC
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.8A Tc
Power Dissipation (Max)
800mW Tc
已出版
1997
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Bulk
JESD-609代码
e4
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
15
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
镍镀金
端子位置
QUAD
终端形式
无铅
引脚数量
18/15
JESD-30代码
R-CQCC-N15
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
800m Ω @ 2.25A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
14.3nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
200V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
2.8A
漏极-源极导通最大电阻
0.85Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
11A
DS 击穿电压-最小值
200V
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
2N6790U拓展信息
Microsemi
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Microsemi Corporation
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