2N6800U
2N6800U

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Microsemi Corporation 2N6800U

  • 收藏
  • 对比

型号

2N6800U

utmel 编号

1619-2N6800U

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

18-CLCC

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH 400V 3A 18-Pin LCC

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表
2N6800U
2N6800U Microsemi Corporation Trans MOSFET N-CH 400V 3A 18-Pin LCC

请发送询价,我们将立即回复。

库存:159

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

2N6800U详情

Microsemi Corporation 2N6800U重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    18-CLCC

  • 安装类型

    表面贴装

  • 底架

    表面贴装

  • Turn Off Delay Time

    35 ns

  • Power Dissipation (Max)

    800mW Ta 25W Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    3A Tc

  • 包装

    Bulk

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 配置

    Single

  • 接通延迟时间

    30 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    1 Ω @ 2A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    5.75nC @ 10V

  • 上升时间

    35ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    400V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    35 ns

  • 连续放电电流(ID)

    3A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    3A

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

  • 辐射硬化

0个相似型号

技术文档: Microsemi Corporation 2N6800U.

2N6800U拓展信息

APT30M36B2LLG
APT30M36B2LLG

Microsemi

APT20M18LVFRG
APT20M18LVFRG

Microsemi

APT6017B2FLLG
APT6017B2FLLG

Microsemi

APT7F120B
APT7F120B

Microsemi Corporation

APT77N60JC3
APT77N60JC3

Microsemi Corporation

APL1001J
APL1001J

Microsemi Corporation

APT20M11JVFR
APT20M11JVFR

Microsemi Corporation

APT41F100J
APT41F100J

Microsemi Corporation

APT18M80B
APT18M80B

Microsemi Corporation

APT34M120J
APT34M120J

Microsemi Corporation

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z