Microsemi Corporation 2N6901

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AF Metal Can

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.69A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

8.33W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

1997

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

引脚数量

2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.6 Ω @ 1.07A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1nC @ 5V

上升时间

80ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±10V

连续放电电流(ID)

1.69A

栅极至源极电压(Vgs)

10V

漏极-源极导通最大电阻

1.4Ohm

DS 击穿电压-最小值

100V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant