Microsemi Corporation 2N7225
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2N7225
1619-2N7225
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
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MOSFET N-CH 200V TO-254AA
1最小包装量--
2N7225详情
Microsemi Corporation 2N7225重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Lead, Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
27.4A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
4W Ta 150W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Bulk
已出版
1997
JESD-609代码
e4
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
镍镀金
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
100m Ω @ 17A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
115nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
200V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
27.4A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.105Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
110A
DS 击穿电压-最小值
200V
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
2N7225拓展信息
Microsemi
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Microsemi Corporation
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