Microsemi Corporation 2N7227
- 收藏
- 对比
2N7227
1619-2N7227
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 400V TO-254AA
1最小包装量--
2N7227详情
Microsemi Corporation 2N7227重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Lead, Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
14A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
4W Ta 150W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Bulk
已出版
1997
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
雪崩 额定
端子位置
SINGLE
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
参考标准
MIL
资历状况
Qualified
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
315m Ω @ 9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
110nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
400V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
14A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
56A
DS 击穿电压-最小值
400V
雪崩能量等级(Eas)
700 mJ
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
2N7227拓展信息
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation








哦! 它是空的。