Microsemi Corporation APT100GT60B2RG

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3 Variant

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 100A, 4.3 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

Thunderbolt IGBT®

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

500W

引脚数量

3

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

500W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

148A

接通时间

115 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 100A

关断时间-标准值（toff)

450 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

460nC

集极脉冲电流（Icm）

300A

Td（开/关）@25°C

40ns/320ns

开关能量

3.25mJ (on), 3.125mJ (off)

栅极-发射极Thr电压-最大值

5V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准