Microsemi Corporation APT102GA60B2

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3 Variant

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 62A, 4.7 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

POWER MOS 8™

已出版

1999

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

锡银铜

附加功能

低导通损耗

最大功率耗散

780W

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

780W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

183A

JEDEC-95代码

TO-247AD

接通时间

64 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 62A

关断时间-标准值（toff)

389 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

294nC

集极脉冲电流（Icm）

307A

Td（开/关）@25°C

28ns/212ns

开关能量

1.354mJ (on), 1.614mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

30V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准