Microsemi Corporation APT10M19SVRG

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

引脚数

3

供应商器件包装

D3 [S]

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

50 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A Tc

包装

Tube

系列

POWER MOS V®

已出版

1997

零件状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

100V

最大功率耗散

370W

额定电流

75A

功率耗散

370W

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

19mOhm @ 500mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6120pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

300nC @ 10V

上升时间

40ns

漏源电压 (Vdss)

100V

下降时间（典型值）

20 ns

连续放电电流(ID)

75A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

输入电容

5.28nF

最大rds

170 mΩ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅