Microsemi Corporation APT11N80KC3G

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

6.000006g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

156W Tc

Turn Off Delay Time

70 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.9V @ 680μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2012

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

电压 - 额定直流

800V

端子位置

SINGLE

额定电流

11A

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

156W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

450m Ω @ 7.1A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1585pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

60nC @ 10V

上升时间

15ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

7 ns

连续放电电流(ID)

11A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.45Ohm

雪崩能量等级（Eas）

470 mJ

高度

9.66mm

长度

10.66mm

宽度

4.82mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅