Microsemi Corporation APT15GP60S
- 收藏
- 对比
APT15GP60S
1604-APT15GP60S
晶体管 - IGBT - 单个
--
大陆
立即发货

Description: Insulated Gate Bipolar Transistor, 56A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, D3PAK-3
1最小包装量--
APT15GP60S详情
Microsemi Corporation APT15GP60S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Part Package Code
D2PAK
Package Description
D3PAK-3
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Turn-off Time-Nom (toff)
157 ns
Turn-on Time-Nom (ton)
20 ns
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
附加功能
低导通损耗
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大耗散功率(Abs)
250 W
集电极电流-最大值(IC)
56 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6 V
APT15GP60S拓展信息
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation







哦! 它是空的。