APT35G60BN
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Microsemi Corporation APT35G60BN

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型号

APT35G60BN

utmel 编号

1604-APT35G60BN

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

Description: TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,600V V(BR)CES,35A I(C),TO-247

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APT35G60BN
APT35G60BN Microsemi Corporation Description: TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,600V V(BR)CES,35A I(C),TO-247

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APT35G60BN详情

Microsemi Corporation APT35G60BN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC

  • Package Description

    ,

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • Reach合规守则

    unknown

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大耗散功率(Abs)

    162 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    35 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    600 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    5 V

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技术文档: Microsemi Corporation APT35G60BN.

APT35G60BN拓展信息

APT25GP90B
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APTGF10X60RTP2G
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APTGF125X60E3G
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APTGT75X120RTP3
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APT130GL60JN
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APT15GN120K
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APT15GP60S
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APTGF50X60RTP3G
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