Microsemi Corporation APT20M19JVR
- 收藏
- 对比
APT20M19JVR
1619-APT20M19JVR
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-227-4, miniBLOC
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227
1最小包装量--
APT20M19JVR详情
Microsemi Corporation APT20M19JVR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
SOT-227-4, miniBLOC
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
112A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
500W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
POWER MOS V®
已出版
1999
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
附加功能
FAST SWITCHING, UL RECOGNIZED
电压 - 额定直流
200V
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
112A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
500W
箱体转运
ISOLATED
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
19m Ω @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
11640pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
495nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
连续放电电流(ID)
112A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
APT20M19JVR拓展信息
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation








哦! 它是空的。