Microsemi Corporation APT31N60BCSG

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

31A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

255W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2005

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩能源评级

电压 - 额定直流

600V

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

31A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

100m Ω @ 18A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 1.2mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3055pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

85nC @ 10V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

31A

JEDEC-95代码

TO-247AD

漏极-源极导通最大电阻

0.1Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

93A

雪崩能量等级（Eas）

800 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅