Microsemi Corporation APT4012BVR

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

37A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

370W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

POWER MOS V®

已出版

1999

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

Reach合规守则

compliant

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

120m Ω @ 18.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

290nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

400V

Vgs（最大值）

±30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

37A