Microsemi Corporation APT40M75JN

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

56A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

520W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tray

系列

POWER MOS IV®

已出版

2012

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

附加功能

UL 认证

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PUFM-X4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

75m Ω @ 28A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6800pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

370nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

400V

Vgs（最大值）

±30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

56A

漏极-源极导通最大电阻

0.075Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

224A

DS 击穿电压-最小值

400V

反馈上限-最大值 (Crss)

720 pF

关断时间-最大值（toff)

96ns

接通时间-最大值(ton)

94ns

RoHS状态

符合RoHS标准