Microsemi Corporation APT5020SVRG

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

26A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

50 ns

包装

Tube

系列

POWER MOS V®

已出版

1997

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

纯哑光锡

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

500V

最大功率耗散

300W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

额定电流

26A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

200m Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4440pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

225nC @ 10V

上升时间

10ns

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

26A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.2Ohm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅