Microsemi Corporation APT5022BNG

工厂交货时间

21 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

27A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

360W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

POWER MOS IV®

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

220m Ω @ 13.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

210nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

500V

Vgs（最大值）

±30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

27A

漏极-源极导通最大电阻

0.22Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

108A

DS 击穿电压-最小值

500V

反馈上限-最大值 (Crss)

350 pF

关断时间-最大值（toff)

237ns

接通时间-最大值(ton)

124ns

RoHS状态

Non-RoHS Compliant