Microsemi Corporation APT50N60JCU2
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APT50N60JCU2
1619-APT50N60JCU2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-227-4, miniBLOC
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Trans MOSFET N-CH 600V 52A 4-Pin SOT-227
1最小包装量--
APT50N60JCU2详情
Microsemi Corporation APT50N60JCU2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
SOT-227-4, miniBLOC
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
52A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
290W Tc
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2008
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
附加功能
雪崩 额定
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
290W
箱体转运
ISOLATED
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
45m Ω @ 22.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 3mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7200pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
150nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
52A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
DS 击穿电压-最小值
600V
RoHS状态
符合RoHS标准
APT50N60JCU2拓展信息
Microsemi
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Microsemi Corporation
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