Microsemi Corporation APT5510JFLL

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

44A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

463W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

POWER MOS 7®

已出版

2003

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

UL 认证

电压 - 额定直流

550V

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

44A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PUFM-X4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

100m Ω @ 22A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5823pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

124nC @ 10V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

44A

漏极-源极导通最大电阻

0.1Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

176A

雪崩能量等级（Eas）

2500 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅