Microsemi Corporation APT70SM70B
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APT70SM70B
1619-APT70SM70B
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-247-3
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POWER MOSFET - SIC
1最小包装量--
APT70SM70B详情
Microsemi Corporation APT70SM70B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
OBSOLETE (Last Updated: 2 weeks ago)
工厂交货时间
22 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
65A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
300W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Bulk
已出版
1997
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
70m Ω @ 32.5A, 20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
125nC @ 20V
漏源电压 (Vdss)
700V
Vgs(最大值)
+25V, -10V
连续放电电流(ID)
65A
最大漏极电流 (Abs) (ID)
58A
漏极-源极导通最大电阻
0.09Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
137A
DS 击穿电压-最小值
700V
RoHS状态
符合RoHS标准
APT70SM70B拓展信息
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi Corporation
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