Microsemi Corporation APT75GN120LG

工厂交货时间

24 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

质量

10.6g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7V

Number of Elements

1

Test Conditions

800V, 75A, 1 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

620 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

1999

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

HIGH RELIABILITY

电压 - 额定直流

1.2kV

最大功率耗散

833W

额定电流

200A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

60 ns

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

200A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

101 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 75A

连续集电极电流

200A

关断时间-标准值（toff)

925 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

425nC

集极脉冲电流（Icm）

225A

Td（开/关）@25°C

60ns/620ns

开关能量

8620μJ (on), 11400μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

30V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

高度

5.21mm

长度

26.49mm

宽度

20.5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅