Microsemi Corporation APTC60DAM35T1G
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APTC60DAM35T1G
1619-APTC60DAM35T1G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SP1
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Trans MOSFET N-CH 600V 72A 12-Pin Case SP-1
1最小包装量--
APTC60DAM35T1G详情
Microsemi Corporation APTC60DAM35T1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
SP1
引脚数
1
供应商器件包装
SP1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
72A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
416W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
3.9V @ 5.4mA
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2007
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-40°C
功率耗散
416W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
35mOhm @ 72A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
14000pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
518nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
72A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
输入电容
14nF
最大rds
35 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
APTC60DAM35T1G拓展信息
Microsemi
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Microsemi Corporation
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