Microsemi Corporation APTC60HM24T3G

工厂交货时间

36 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

4

Turn Off Delay Time

100 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tray

系列

CoolMOS™

已出版

2012

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

20

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

462W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

JESD-30代码

R-XUFM-X20

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

21 ns

场效应管类型

4 N-Channel (H-Bridge)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

24m Ω @ 47.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

14400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

300nC @ 10V

上升时间

30ns

漏源电压 (Vdss)

600V

下降时间（典型值）

45 ns

连续放电电流(ID)

95A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

260A

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

1900 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

超级交界处

RoHS状态

符合RoHS标准