Microsemi Corporation APTC60HM70RT3G

工厂交货时间

36 Weeks

底架

Screw

包装/外壳

SP3

引脚数

3

Number of Elements

4

Turn Off Delay Time

283 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

系列

CoolMOS™

已出版

1999

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

250W

功率耗散

250W

接通延迟时间

21 ns

场效应管类型

4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier

Rds On(Max)@Id,Vgs

70m Ω @ 39A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 2.7mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

259nC @ 10V

上升时间

30ns

漏源电压 (Vdss)

600V

下降时间（典型值）

84 ns

连续放电电流(ID)

39A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准