Microsemi Corporation APTC90DDA12T1G

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP1

引脚数

1

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

400 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tray

系列

CoolMOS™

已出版

2012

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

10

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE

最大功率耗散

250W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

12

配置

COMPLEX

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

250W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

70 ns

场效应管类型

2 N Channel (Dual Buck Chopper)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

120m Ω @ 26A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 3mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6800pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

270nC @ 10V

上升时间

20ns

漏源电压 (Vdss)

900V

下降时间（典型值）

25 ns

连续放电电流(ID)

30A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

75A

DS 击穿电压-最小值

900V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

超级交界处

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准