Microsemi Corporation APTM100A13DG

工厂交货时间

36 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP6

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

50 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

1999

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

1.25kW

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

4

JESD-30代码

R-XUFM-X4

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.25kW

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

9 ns

功率 - 最大

1250W

场效应管类型

2 N-Channel (Half Bridge)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

156m Ω @ 32.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 6mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

15200pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

562nC @ 10V

上升时间

9ns

漏源电压 (Vdss)

1000V 1kV

下降时间（典型值）

24 ns

连续放电电流(ID)

65A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

DS 击穿电压-最小值

1000V

雪崩能量等级（Eas）

1300 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准