Microsemi Corporation APTM100VDA35T3G

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

155 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

系列

POWER MOS 7®

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

20

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

390W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

25

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

390W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

420m Ω @ 11A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5200pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

186nC @ 10V

上升时间

12ns

漏源电压 (Vdss)

1000V 1kV

下降时间（典型值）

40 ns

连续放电电流(ID)

22A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

88A

DS 击穿电压-最小值

1000V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准