Microsemi Corporation APTM10DHM09TG

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP4

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2006

JESD-609代码

e1

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

14

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

390W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

14

资历状况

不合格

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

390W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10m Ω @ 69.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9875pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

350nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

连续放电电流(ID)

139A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.01Ohm

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

符合RoHS标准