Microsemi Corporation APTM120SK29TG

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP4

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

34A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

780W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 5mA

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2016

JESD-609代码

e1

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

12

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩 额定

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

780W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

348m Ω @ 17A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

10300pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

374nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

1200V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

34A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ

达到SVHC

unknown

RoHS状态

符合RoHS标准