Microsemi Corporation APTM120UM95FAG

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP6

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 15mA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

103A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2272W Tc

已出版

2006

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩 额定

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PUFM-X2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

114m Ω @ 51.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

30900pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1122nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

1200V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

103A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准