Microsemi Corporation APTM20DHM20TG

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP4

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

14

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

357W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

14

资历状况

不合格

配置

PARALLEL, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

357W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

24m Ω @ 44.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6850pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

112nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

200V

连续放电电流(ID)

89A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

356A

DS 击穿电压-最小值

200V

雪崩能量等级（Eas）

2500 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

符合RoHS标准