Microsemi Corporation APTM50DHM38G
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APTM50DHM38G
1619-APTM50DHM38G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SP6
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MOSFET 2N-CH 500V 90A SP6
1最小包装量--
APTM50DHM38G详情
Microsemi Corporation APTM50DHM38G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
工厂交货时间
36 Weeks
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
SP6
引脚数
6
供应商器件包装
SP6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
90A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
87 ns
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2006
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-40°C
最大功率耗散
694W
功率耗散
694W
接通延迟时间
18 ns
功率 - 最大
694W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Rds On(Max)@Id,Vgs
45mOhm @ 45A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 5mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
11200pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
246nC @ 10V
上升时间
35ns
漏源电压 (Vdss)
500V
下降时间(典型值)
77 ns
连续放电电流(ID)
90A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
输入电容
11.2nF
场效应管特性
Standard
最大rds
45 mΩ
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
APTM50DHM38G拓展信息
Microsemi Corporation
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