Microsemi Corporation APTM50DHM65T3G

工厂交货时间

22 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP3

引脚数

3

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

155 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

系列

POWER MOS 8™

已出版

2012

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

390W

功率耗散

390W

接通延迟时间

60 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Rds On(Max)@Id,Vgs

78m Ω @ 42A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

10800pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

340nC @ 10V

上升时间

70ns

漏源电压 (Vdss)

500V

下降时间（典型值）

50 ns

连续放电电流(ID)

51A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准