Microsemi Corporation APTM50UM19SG

包装/外壳

J3 Module

底架

底座安装

安装类型

底座安装

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1136W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 10mA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

163A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2004

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

端子表面处理

锡银铜

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-XUFM-X4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

19m Ω @ 81.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

22400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

492nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

500V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

163A

漏极-源极导通最大电阻

0.019Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

652A

DS 击穿电压-最小值

500V

雪崩能量等级（Eas）

2500 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准