Microsemi Corporation APTM60A11FT1G
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APTM60A11FT1G
1619-APTM60A11FT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SP1
大陆
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Trans MOSFET N-CH 600V 40A 12-Pin Case SP-1
1最小包装量--
APTM60A11FT1G详情
Microsemi Corporation APTM60A11FT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
36 Weeks
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
SP1
引脚数
1
供应商器件包装
SP1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
40A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
225 ns
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2007
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-40°C
最大功率耗散
390W
功率耗散
390W
接通延迟时间
75 ns
功率 - 最大
390W
场效应管类型
2 N-Channel (Half Bridge)
Rds On(Max)@Id,Vgs
132mOhm @ 33A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 2.5mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
10552pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
330nC @ 10V
上升时间
85ns
漏源电压 (Vdss)
600V
下降时间(典型值)
70 ns
连续放电电流(ID)
40A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
输入电容
10.552nF
场效应管特性
Standard
最大rds
132 mΩ
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
APTM60A11FT1G拓展信息
Microsemi Corporation
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