Microsemi Corporation APTMC120AM16CD3AG
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APTMC120AM16CD3AG
1619-APTMC120AM16CD3AG
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
D-3 Module
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MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3
1最小包装量--
APTMC120AM16CD3AG详情
Microsemi Corporation APTMC120AM16CD3AG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
工厂交货时间
22 Weeks
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
D-3 Module
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
131A Tc
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Bulk
已出版
1997
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
625W
场效应管类型
2 N-Channel (Half Bridge)
Rds On(Max)@Id,Vgs
20m Ω @ 100A, 20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 5mA (Typ)
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4750pF @ 1000V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
246nC @ 20V
上升时间
20ns
漏源电压 (Vdss)
1200V 1.2kV
连续放电电流(ID)
131A
场效应管特性
Silicon Carbide (SiC)
RoHS状态
符合RoHS标准
APTMC120AM16CD3AG拓展信息
Microsemi Corporation
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