Microsemi Corporation APTMC60TLM55CT3AG
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APTMC60TLM55CT3AG
1619-APTMC60TLM55CT3AG
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SP3
大陆
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250 W 49 mOhm 98 nC Power Module Mosfet
1最小包装量--
APTMC60TLM55CT3AG详情
Microsemi Corporation APTMC60TLM55CT3AG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
工厂交货时间
22 Weeks
底架
Chassis Mount, Through Hole
安装类型
底座安装
包装/外壳
SP3
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
48A Tc
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
23 ns
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
250W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
4 N-Channel (Three Level Inverter)
Rds On(Max)@Id,Vgs
49m Ω @ 40A, 20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 2mA (Typ)
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1900pF @ 1000V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
98nC @ 20V
上升时间
14ns
漏源电压 (Vdss)
1200V 1.2kV
下降时间(典型值)
18 ns
连续放电电流(ID)
55A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Silicon Carbide (SiC)
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
APTMC60TLM55CT3AG拓展信息
Microsemi Corporation
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