Microsemi Corporation JAN2N4957

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 6 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-72-3 Metal Can

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

30mA

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~200°C TJ

包装

Bulk

JESD-609代码

e4

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

DUAL

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/426

JESD-30代码

R-CDSO-N3

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

功率 - 最大

200mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 5mA 10V

增益

25dB

电压 - 集射极击穿（最大值）

30V

最高频段

超高频B型

集电极-基极电容-最大值

0.8pF

噪音数字(分贝类型@ f)

3.5dB @ 450MHz

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant