Microsemi Corporation JAN2N6770

工厂交货时间

36 Weeks

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AE

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

4W Ta 150W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500/543

已出版

1997

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

2

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

Qualified

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

4W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

500m Ω @ 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

120nC @ 10V

上升时间

190ns

漏源电压 (Vdss)

500V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

12A

JEDEC-95代码

TO-204AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.4Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

48A

DS 击穿电压-最小值

500V

雪崩能量等级（Eas）

750 mJ

关断时间-最大值（toff)

300ns

接通时间-最大值(ton)

225ns

RoHS状态

Non-RoHS Compliant